onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 110 A 176 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 185-9328
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBS2D7N06M7
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 176W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Höhe | 4.58mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 176W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
Breite 9.65 mm | ||
Höhe 4.58mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
- Ursprungsland:
- PH
Typischer RDS(on) = 2,2 m bei VGS = 10 V, ID = 80 A
Typische Qg(tot) = 80 nC bei VGS = 10 V, ID = 80 A
UIS-Funktionen
Diese Geräte sind bleifrei
Anwendungen
Motorantrieb für Industrieanwendungen
Industrielle Stromversorgung
Industrielle Automatisierung
Batteriebetriebene Werkzeuge
Batterieschutz
Solarwechselrichter
USV- und Energie-Wechselrichter
Energiespeicherung
Lastschalter
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