onsemi Einfach FDP083N15A Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 150 V / 117 A 294 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 186-7388
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP083N15A-F102
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,732 € | 136,60 € |
| 100 - 200 | 2,478 € | 123,90 € |
| 250 - 350 | 2,344 € | 117,20 € |
| 400 - 450 | 2,297 € | 114,85 € |
| 500 + | 2,221 € | 111,05 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 186-7388
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP083N15A-F102
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 117A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | FDP083N15A | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.3mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V dc | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 294W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 8.78mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 4.67 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 117A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie FDP083N15A | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.3mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V dc | ||
Maximale Verlustleistung Pd 294W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 8.78mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 4.67 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieser N-Kanal-MOSFET wird mit einem Advanced PowerTrench®-Verfahren hergestellt, das auf die Minimierung des Einschaltresistenz bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer überlegenen Schaltleistung zugeschnitten wurde.
RDS(on) = 6,85 mΩ ( typ.) @ VGS = 10 V, ID = 75 A
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Gatterladung, QG = 64,5 nC (typ.)
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on)
Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Anwendungen
AC-DC-Netzteil für Händler - Server und Workstations
AC-DC-Netzteil für Händler - Desktop-PC
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Sonstige Datenverarbeitung
Synchrone Rektifizierung für ATX/Server/Telecom PSU
Batterieschutzschaltung
Motorantriebe
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Micro Solar Wechselrichter
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