onsemi NTD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 58 A 117 W, 5-Pin NTD5C632NLT4G TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
NTD5C632NLT4G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET hat eine Drain-to-Source-Spannung von 60 V und eine Gate-to-Source-Spannung von 20 V.

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

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