onsemi NTT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 1200 V / 58 A 117 W, 8-Pin NTTFS012N10MDTAG WDFN

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Herst. Teile-Nr.:
NTTFS012N10MDTAG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

WDFN

Serie

NTT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor MOSFET wird als Primärschalter in isoliertem DC/DC-Wandler, Synchrone Gleichrichtung (SR) in DC/DC und AC/DC, AC/DC-Adapter (USB PD) SR, Lastschalter, Hot-Swap- und O-Ring-Schalter, BLDC-Motor und Solarwechselrichter verwendet.

Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

Low Qrr, Soft-Recovery-Gehäusediode

Niedriger QOSS zur Verbesserung der Effizienz bei geringer Last

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, Berylliumfrei und RoHS-konform

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