Vishay SiA471DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30,3 A 19,2 W, 6-Pin PowerPAK SC-70

RS Best.-Nr.:: 188-4859
Herst. Teile-Nr.:: SiA471DJ-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SiA471DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30,3 A 19,2 W, 6-Pin PowerPAK SC-70

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Datasheet SiA471DJ-T1-GE3

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Produktdetails

P-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET ® Gen IV p-Kanal-Leistungs-MOSFET
Thermisch verbessertes PowerPAK ® SC-70-Gehäuse
Sehr niedriger RDS(on) x-Bereich minimiert Leistungsverlust auf begrenzten Leiterplattenflächen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	30,3 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerPAK SC-70
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	24 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	19,2 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	2.15mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	18,5 nC bei 10 V
Breite	2.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.75mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

Vishay SiA471DJ-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 30,3 A 19,2 W, 6-Pin PowerPAK SC-70

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