Vishay SIHU4N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 62,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 188-4879
Herst. Teile-Nr.:: SIHU4N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHU4N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 62,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

Voraussichtlich ab 13.11.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 75)

1,172 €

(ohne MwSt.)

1,395 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
75 - 75	1,172 €	87,90 €
150 - 300	0,879 €	65,925 €
375 +	0,727 €	54,525 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 188-4879
Herst. Teile-Nr.:: SIHU4N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet SIHU4N80AE-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4,1 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,44 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	62,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	11 nC @ 10 V
Länge	6.73mm
Breite	2.38mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	6.22mm

Vishay SIHU4N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 62,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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