Vishay SiRA99DP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 195 A 104 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
188-4884
Herst. Teile-Nr.:
SIRA99DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

195A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiRA99DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

172.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.99mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.07mm

Breite

5 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET ® Gen IV p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Sehr niedriger RDS(on) minimiert den Spannungsabfall und reduziert den Leitungsverlust

Keine Ladungspumpe erforderlich

Verwandte Links