Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 48 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
188-4915
Herst. Teile-Nr.:
SQJ208EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.77V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

1.01mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.47 mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifach-N-Kanal-MOSFETs für die Automobilindustrie, 40 V (D-S), 175 °C.

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

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