Vishay SQJ208EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 20 A, 60 A 27 W, 48 W, 6-Pin PowerPAK

RS Best.-Nr.:: 188-4915
Herst. Teile-Nr.:: SQJ208EP-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay SQJ208EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 20 A, 60 A 27 W, 48 W, 6-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:: 188-4915
Herst. Teile-Nr.:: SQJ208EP-T1_GE3
Marke:: Vishay

Datasheet SQJ208EP-T1_GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A, 60 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2)
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8L Dual
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	0,0067 Ω (Kanal 2), 0,016 Ω (Kanal 1)
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V
Verlustleistung max.	27 W, 48 W
Transistor-Konfiguration	Dual
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Breite	4.47mm
Länge	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V (Kanal 1), 48,2 nC @ 10 V (Kanal 2)
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	1.01mm
Automobilstandard	AEC-Q101
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay SQJ208EP-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) / 20 A, 60 A 27 W, 48 W, 6-Pin PowerPAK

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