Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 72 A 68 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L

RS Best.-Nr.:: 188-4919
Herst. Teile-Nr.:: SQJA78EP-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 72 A 68 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L

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RS Best.-Nr.:: 188-4919
Herst. Teile-Nr.:: SQJA78EP-T1_GE3
Marke:: Vishay

Datasheet SQJA78EP-T1_GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	72 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8L
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	12 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.3V
Gate-Schwellenspannung min.	2.3V
Verlustleistung max.	68 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.47mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	62 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	5mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	1.01mm
Automobilstandard	AEC-Q101
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 72 A 68 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L

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