Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 52 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD

RS Best.-Nr.:: 188-5025
Herst. Teile-Nr.:: SiSF20DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 52 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD

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5 - 45	2,244 €	11,22 €
50 - 120	2,018 €	10,09 €
125 - 245	1,682 €	8,41 €
250 - 495	1,342 €	6,71 €
500 +	1,124 €	5,62 €

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RS Best.-Nr.:: 188-5025
Herst. Teile-Nr.:: SiSF20DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet SiSF20DN-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	52 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8SCD
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	18 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	69,4 W
Transistor-Konfiguration	Gemeinsamer Drain
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Länge	3.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Breite	3.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	0.75mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 52 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD

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