Vishay SiSF20DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 52 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD
- RS Best.-Nr.:
- 188-5025
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 19.11.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
1,426 €
(ohne MwSt.)
1,697 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,426 € | 7,13 € |
| 50 - 120 | 1,282 € | 6,41 € |
| 125 - 245 | 1,07 € | 5,35 € |
| 250 - 495 | 0,854 € | 4,27 € |
| 500 + | 0,714 € | 3,57 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 188-5025
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Gemeinsam - Drain Dual N-Kanal 60 V (S1-S2) MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle
Integrierte n-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle
Integrierte n-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 52 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SCD |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 18 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 69,4 W |
| Transistor-Konfiguration | Gemeinsamer Drain |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Länge | 3.4mm |
| Breite | 3.4mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 0.75mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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