Vishay Gemeinsamer Drain TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 52 A 69.4 W,

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

13,60 €

(ohne MwSt.)

16,20 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 08. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 452,72 €13,60 €
50 - 1202,444 €12,22 €
125 - 2452,04 €10,20 €
250 - 4951,624 €8,12 €
500 +1,364 €6,82 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-5025
Herst. Teile-Nr.:
SiSF20DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

69.4W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Höhe

0.75mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Gemeinsam - Drain Dual N-Kanal 60 V (S1-S2) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle

Integrierte n-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.