Vishay SiSHA04DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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RS Best.-Nr.:
188-5123
Herst. Teile-Nr.:
SISHA04DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8SH

Serie

SiSHA04DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00215Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3 mm

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.93mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET ® Gen IV

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