STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
188-8284
Herst. Teile-Nr.:
STB80NF55-06T4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

142nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.35 mm

Höhe

4.37mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.

Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit

Anwendungsorientierte Charakterisierung

Anwendungen

Schaltanwendung

Anwendungen

Schaltanwendung

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