STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

1.332,00 €

(ohne MwSt.)

1.585,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +1,332 €1.332,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-8284
Herst. Teile-Nr.:
STB80NF55-06T4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

142nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.37mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.35 mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.

Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit

Anwendungsorientierte Charakterisierung

Anwendungen

Schaltanwendung

Anwendungen

Schaltanwendung

Verwandte Links