STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

18,00 €

(ohne MwSt.)

21,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 18. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 203,60 €18,00 €
25 - 453,382 €16,91 €
50 - 1203,202 €16,01 €
125 - 2453,024 €15,12 €
250 +2,884 €14,42 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
188-8527
Herst. Teile-Nr.:
STB80NF55-06T4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

142nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.37mm

Breite

9.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.

Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit

Anwendungsorientierte Charakterisierung

Anwendungen

Schaltanwendung

Anwendungen

Schaltanwendung

Verwandte Links