STMicroelectronics, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 65 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 188-8476
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP8NC60KD
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STGP8NC60KD
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 15.75mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser IGBT nutzt den Advanced PowerMESH TM-Prozess, was zu einem ausgezeichneten Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten führt.
Niedriger Spannungsabfall (VCE(sat))
Sehr weiche antiparallele Diode mit ultraschneller Erholung
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Anwendungen
Motorsteuerungen mit hoher Frequenz
SMPS und PFC in harten Switch- und Resonanztopologien
Motortreiber
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