STMicroelectronics STD5N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 3.5 A 45 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

1.137,50 €

(ohne MwSt.)

1.352,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,455 €1.137,50 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
193-5388
Herst. Teile-Nr.:
STD5N60DM2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

STD5N

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.55Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.2 mm

Höhe

2.2mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieser Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen MDmesh TM DM2-Wiederherstellungsdiodenserie. Es bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr) und -zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), wodurch es für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler ist.

Gehäusediode mit schneller Erholung

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Extrem hohe DV/DT-Fähigkeit

Zenerdioden-geschützt

Verwandte Links