STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 45 A 60 W, 3-Pin STD45N10F7 TO-252

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RS Best.-Nr.:
791-9291
Herst. Teile-Nr.:
STD45N10F7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

STripFET H7

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.2 mm

Höhe

2.4mm

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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