STMicroelectronics STripFET H7 STD25N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 792-5713
Herst. Teile-Nr.:: STD25N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 STD25N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Voraussichtlich ab 29.07.2025 verfügbar.

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

1,128 €

(ohne MwSt.)

1,342 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	1,128 €	5,64 €
25 - 45	1,07 €	5,35 €
50 - 120	0,962 €	4,81 €
125 - 245	0,868 €	4,34 €
250 +	0,824 €	4,12 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 792-5713
Herst. Teile-Nr.:: STD25N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STD25N10F7, STF25N10F7, STP25N10F7, N-Channel 100V, 0.027 Ohm typ., 25A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	25 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	STripFET H7
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	35 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	40 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	6.2mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	2.4mm

STMicroelectronics STripFET H7 STD25N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics

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