STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 25 A 40 W, 3-Pin STD25N10F7 TO-252

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RS Best.-Nr.:
792-5713
Herst. Teile-Nr.:
STD25N10F7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

STripFET H7

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Höhe

2.4mm

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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