STMicroelectronics STripFET H7 STB100N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 792-5697
Herst. Teile-Nr.:: STB100N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 STB100N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

2,598 €

(ohne MwSt.)

3,092 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	2,598 €	12,99 €
25 - 45	2,468 €	12,34 €
50 - 120	2,22 €	11,10 €
125 - 245	2,00 €	10,00 €
250 +	1,898 €	9,49 €

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RS Best.-Nr.:: 792-5697
Herst. Teile-Nr.:: STB100N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STD100N10F7, STF100N10F7, STP100N10F7, N-Channel 100V, 0.0068 Ohm typ., 80A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	STripFET H7
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	9.35mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	61 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.6mm

STMicroelectronics STripFET H7 STB100N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics

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