STMicroelectronics STripFET H7 STD45N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 45 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 168-7058
Herst. Teile-Nr.:: STD45N10F7
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET H7 STD45N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 45 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Voraussichtlich ab 27.01.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)

0,681 €

(ohne MwSt.)

0,81 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2500 +	0,681 €	1.702,50 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-7058
Herst. Teile-Nr.:: STD45N10F7
Marke:: STMicroelectronics

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	45 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	STripFET H7
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	18 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	60 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.2mm
Länge	6.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.4mm