STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 120 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
103-2005
Herst. Teile-Nr.:
STD100N10F7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STripFET H7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

120W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.2 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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