onsemi FDMS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 116 A 113.6 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
195-2499
Herst. Teile-Nr.:
FDMS4D5N08LC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

116A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

FDMS

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

113.6W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.85mm

Höhe

1.05mm

Automobilstandard

Nein

Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie

Max rDS(on) = 4,2 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 37 A

RDS(ON) = 11,1 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V, ID = 29 A)

50 % geringerer Qrr als andere MOSFET Lieferanten

Niedriges Schaltgeräusch / EMI

Logikpegelantrieb möglich

Anwendung

Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

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