onsemi NVMYS5D3N04CTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 71 A 50 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
- RS Best.-Nr.:
- 195-2522
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMYS5D3N04CTWG
- Marke:
- onsemi
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,401 €
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0,477 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
3000 + | 0,401 € | 1.203,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 195-2522
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMYS5D3N04CTWG
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 71 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | LFPAK, SOT-669 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 5,3 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
Verlustleistung max. | 50 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 16 bei 10 V nC |
Länge | 5mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Breite | 4.25mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.15mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
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