onsemi FCHD190N65S3R0-F155OS N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17 A 144 W, 3-Pin TO-247AD

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Damit trägt die SUPERFET III MOSFET-Easy-Drive-Serie zur Beherrschung von elektromagnetischen Störungen (EMI) bei und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung.

701 V bei TJ = 150 °C
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 300 pF)
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 33 nC)
Optimierte Kapazität
Typ. RDS(on) = 159 mΩ
Interner Gate-Widerstand: 0,5 Ω
Geringe Schaltverluste
Geringe Schaltverluste
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Anwendung
Telekommunikation
Cloud-System
Industriell