onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 162 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 195-2666
- Herst. Teile-Nr.:
- NVB190N65S3F
- Marke:
- onsemi
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- NVB190N65S3F
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 162W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.58mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 162W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.58mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Körperdiode von SuperFET III FRFET® MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.
701 V bei TJ = 150 °C
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 33 nC)
Geringere Schaltverluste
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 1154 pF)
Geringere Schaltverluste
PPAP-fähig
Typ. RDS(on) = 158 mΩ
Anwendung
DC/DC-Konverter