- RS Best.-Nr.:
- 202-4812
- Herst. Teile-Nr.:
- STF22N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh-M6-Leistungs-MOSFET in einem TO-220FP-Gehäuse hat geringere Schaltverluste. Es verfügt außerdem über einen niedrigeren RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
Zenerdioden-geschützt
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 15 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Serie | STF |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,24 Ω |
Channel-Modus | Depletion |
Gate-Schwellenspannung max. | 25V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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