STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 12 A 150 W, 3-Pin Hip-247 SCT10N120

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RS Best.-Nr.:
202-5476
Herst. Teile-Nr.:
SCT10N120
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.58Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

4.3V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

34.95mm

Länge

15.75mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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