STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK SCTH100N65G2-7AG

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Herst. Teile-Nr.:
SCTH100N65G2-7AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCT

Gehäusegröße

H2PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

2.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

162nC

Betriebstemperatur min.

-65°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

360W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.8 mm

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.25mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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