STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK SCTH100N65G2-7AG
- RS Best.-Nr.:
- 202-5481
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH100N65G2-7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
25,40 €
(ohne MwSt.)
30,23 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 10. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 49 | 25,40 € |
| 50 - 99 | 22,49 € |
| 100 - 249 | 21,91 € |
| 250 - 499 | 21,34 € |
| 500 + | 20,81 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5481
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH100N65G2-7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.02Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Durchlassspannung Vf | 2.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 162nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.02Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Durchlassspannung Vf 2.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 162nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 7-Pin SCTH35N65G2V-7AG H2PAK
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 7-Pin H2PAK SCTW100N65G2AG
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 7-Pin SCT027H65G3AG H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 7-Pin SCT018H65G3AG H2PAK-7