STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK SCTH100N65G2-7AG
- RS Best.-Nr.:
- 202-5481
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH100N65G2-7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.02Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 162nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360W | |
| Durchlassspannung Vf | 2.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.25mm | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.02Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 162nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360W | ||
Durchlassspannung Vf 2.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.25mm | ||
Breite 4.8 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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