STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

27,91 €

(ohne MwSt.)

33,21 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 10. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 927,91 €
10 - 9924,43 €
100 - 99924,13 €
1000 +23,84 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-5481
Herst. Teile-Nr.:
SCTH100N65G2-7AG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCT

Gehäusegröße

H2PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-65°C

Durchlassspannung Vf

2.8V

Maximale Verlustleistung Pd

360W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

162nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.4mm

Höhe

15.25mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.8mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.