STMicroelectronics ST N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
202-5548
Herst. Teile-Nr.:
STW70N65DM6-4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

ST

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.036Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

125nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

450W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

41.2mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.9mm

Breite

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

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