STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

297,00 €

(ohne MwSt.)

353,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 15. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +9,90 €297,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
202-5554
Herst. Teile-Nr.:
STWA70N65DM6
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

ST

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.036Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

125nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

450W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

41.2mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

Verwandte Links