Vishay SiR626ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 165 A 104 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
204-7199
Herst. Teile-Nr.:
SiR626ADP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

165A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR626ADP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

83nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

6.25mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.26mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET ist auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM abgestimmt.

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