Vishay SiHG052N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A 278 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 500 Stück)*

1.872,50 €

(ohne MwSt.)

2.228,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 19. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
500 +3,745 €1.872,50 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
204-7206
Herst. Teile-Nr.:
SIHG052N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

48A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SiHG052N60EF

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

101nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.87mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.7mm

Breite

5.31 mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat eine Technologie der 4. Generation der E-Serie. Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er)

Verwandte Links