Vishay SiHG105N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 208 W, 3-Pin SIHG105N60EF-GE3 TO-247

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204-7209
Herst. Teile-Nr.:
SIHG105N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SiHG105N60EF

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

102mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.87mm

Breite

5.21 mm

Höhe

20.7mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat eine Technologie der 4. Generation der E-Serie. Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er)

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