Vishay SiSF06DN SISF06DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 101 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD
- RS Best.-Nr.:
- 204-7260
- Herst. Teile-Nr.:
- SISF06DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,682 € | 13,64 € |
| 100 - 180 | 0,58 € | 11,60 € |
| 200 - 480 | 0,478 € | 9,56 € |
| 500 - 980 | 0,434 € | 8,68 € |
| 1000 + | 0,423 € | 8,46 € |
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- 204-7260
- Herst. Teile-Nr.:
- SISF06DN-T1-GE3
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay Dual N-Kanal 30 V (S1-S2) MOSFET mit Common-Drain-Zweifach-N-Kanal ist ein integriertes N-Kanal-MOSFETs mit gemeinsamer Stromaufnahme in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand von Quelle zu Quelle
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 101 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Serie | SiSF06DN |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SCD |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0045 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.3V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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