DiodesZetex DMT4001 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 2.6 W, 8-Pin PowerDI5060

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

4,50 €

(ohne MwSt.)

5,35 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 2.910 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +0,90 €4,50 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
206-0141
Herst. Teile-Nr.:
DMT4001LPS-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

DMT4001

Gehäusegröße

PowerDI5060

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.6W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Breite

5.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Ursprungsland:
CN
Der 40-V-, 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,6 W Wärmeverlustleistung.

Hohe Effizienz bei der Wandlung

Niedriger RDS(ON) - minimiert Statusverluste

Verwandte Links