Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin SIHB11N80AE-GE3 TO-263

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RS Best.-Nr.:
210-4967
Herst. Teile-Nr.:
SIHB11N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

391mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

14.61mm

Breite

9.65 mm

Höhe

4.06mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein D2PAK-Gehäuse (TO-263) mit einer Konfiguration.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Ziss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Lawinenenergie (UIS)

Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

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