Vishay SiSS32ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 63 A 65.7 W, 8-Pin SiSS32ADN-T1-GE3 PowerPAK 1212

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Herst. Teile-Nr.:
SiSS32ADN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

63A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SiSS32ADN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.83mm

Breite

3.4 mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK 1212-8S-Gehäuse mit 63 A Ableitstrom.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

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