Vishay SiSS78LDN Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 70 V Erweiterung / 66.7 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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210-5020
Herst. Teile-Nr.:
SiSS78LDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

66.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

70V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Serie

SiSS78LDN

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.83mm

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-70-V (D-S)-MOSFET von Vishay hat den Gehäusetyp PowerPAK 1212-8S.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Sehr niedriger RDS x Qg Verdienstwert (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

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