Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 40 V / 70 A 35 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
214-4350
Herst. Teile-Nr.:
IPA041N04NGXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

35W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

16.15 mm

Länge

10.68mm

Höhe

4.85mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET verfügt nicht nur über den branchenweit niedrigsten R DS(on), sondern auch über ein perfektes Schaltverhalten für schnelle Schaltanwendungen. 15 % niedrigerer R DS(on) und 31 % niedrigerer Leistungswert (R DS(on) x Q g) im Vergleich zu alternativen Geräten wurden durch Advanced Thin Wafer-Technologie realisiert.

Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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