Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 87 A 79 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-4450
Herst. Teile-Nr.:
IRF3709ZSTRRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

87A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.8mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET MOSFET ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und erfordern Robustheit

Es verfügt über eine Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

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