Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A 200 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4459
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4410TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
17,41 €
(ohne MwSt.)
20,72 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 10 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 3.615 Einheit(en) mit Versand ab 09. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,482 € | 17,41 € |
| 25 - 45 | 3,134 € | 15,67 € |
| 50 - 120 | 2,926 € | 14,63 € |
| 125 - 245 | 2,716 € | 13,58 € |
| 250 + | 2,542 € | 12,71 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4459
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4410TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 88A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 88A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit. Er ist für hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS geeignet.
Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 88 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 85 A 330 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 200 V / 24 A 144 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 195 A 375 W TO-263