Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

1.413,60 €

(ohne MwSt.)

1.682,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 800 Einheit(en) mit Versand ab 16. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 +1,767 €1.413,60 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-5574
Herst. Teile-Nr.:
IRLS4030TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Leiterplattenmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.3mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für die Ansteuerung auf Logikebene optimiert, hat einen sehr niedrigen RDS-Wert bei 4,5 V VGS und wird für die Ansteuerung von Gleichstrommotoren, die hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Hochgeschwindigkeitsschaltungen, hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen verwendet.

Hervorragender R*Q bei 45 V VGS

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA

Verbesserte Body-Diode dV/dt und dI/dt-Fähigkeit

Bleifrei

Verwandte Links