Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 320 A 294 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4460
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7434TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
837,60 €
(ohne MwSt.)
996,80 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 31. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 1,047 € | 837,60 € |
| 1600 + | 1,021 € | 816,80 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4460
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7434TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 320A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.6mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 294W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 324nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 320A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.6mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 294W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 324nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET ist für eine größtmögliche Verfügbarkeit von Verteilungspartnern optimiert. Er verfügt über eine weichere Gehäusediode im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration
Er kann wellengelötet werden
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFS7434TRLPBF TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 43 A 320 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 43 A 320 W IRFS38N20DTRLP TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 7-Pin AUIRF2804STRL7P TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W IRF1404STRLPBF TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263