Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 200 A 230 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4467
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
592,80 €
(ohne MwSt.)
705,60 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 5.600 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,741 € | 592,80 € |
| 1600 + | 0,723 € | 578,40 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4467
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen.
Er ist bleifrei
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 230 A 370 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 160 A 230 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263