Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 230 A 370 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
257-9419
Herst. Teile-Nr.:
IRFS3107TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

370W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist ein 75-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinen-SOA

Verbesserte Gehäuse-Diode dV/dt und dI/dt-Fähigkeit bleifrei

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