Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 75 V / 260 A 370 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
257-9417
Herst. Teile-Nr.:
IRFS3107TRL7PP
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

260A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

370W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.54mm

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist das 75-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-7-poligen Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Der normale Pegel ist für 10-V-Gate-Antriebsspannung optimiert

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Höherer Nennstrom (um 23 Prozent) im Vergleich zu D2 PAK (gleicher Matrizengröße)

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