Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 190 A 370 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 217-2642
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLS4030TRL7PP
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 217-2642
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLS4030TRL7PP
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.1mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 370W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 140nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.3mm | |
| Länge | 10.35mm | |
| Breite | 4.55 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.1mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 370W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 140nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.3mm | ||
Länge 10.35mm | ||
Breite 4.55 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 100-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 7-poligen D2-Pak-Gehäuse.
Optimiert für Logikpegelantrieb
Sehr niedriger RDS(ON) bei 4,5 V VGS
Überlegener R * Q bei 4,5 V VGS I
Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA
Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit
Bleifrei
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