Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 190 A 370 W, 7-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
217-2641
Herst. Teile-Nr.:
IRLS4030TRL7PP
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

370W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

140nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.3mm

Länge

10.35mm

Breite

4.55 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 100-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 7-poligen D2-Pak-Gehäuse.

Optimiert für Logikpegelantrieb

Sehr niedriger RDS(ON) bei 4,5 V VGS

Überlegener R * Q bei 4,5 V VGS I

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit

Bleifrei

Verwandte Links

Recently viewed