Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 190 A 370 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
217-2641
Herst. Teile-Nr.:
IRLS4030TRL7PP
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

140nC

Maximale Verlustleistung Pd

370W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.55 mm

Länge

10.35mm

Höhe

15.3mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 100-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 7-poligen D2-Pak-Gehäuse.

Optimiert für Logikpegelantrieb

Sehr niedriger RDS(ON) bei 4,5 V VGS

Überlegener R * Q bei 4,5 V VGS I

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit

Bleifrei

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