onsemi NTMTS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 236 A 3.9 W, 8-Pin TDFN
- RS Best.-Nr.:
- 214-8905
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTSC002N10MCTXG
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 236A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | NTMTS | |
| Gehäusegröße | TDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.9W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 89nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 8.5 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Länge | 8.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 236A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie NTMTS | ||
Gehäusegröße TDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.9W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 89nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 8.5 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.02mm | ||
Länge 8.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Serie on Semiconductor NTMTS ist ein n-Kanal-MOSFET mit einer Ableitungs-/Quellspannung von 100 V. Es wird in der Regel synchrone Gleichrichtung und DC/DC-Wandlung verwendet.
Bleifrei
RoHS-konform
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