onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 174 A 293 W, 8-Pin TDFN

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RS Best.-Nr.:
229-6488
Herst. Teile-Nr.:
NTMTSC4D3N15MC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

174A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

293W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

8.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.2 mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 8 x 8 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. Er wird in der Batterie des Umkehrhebels, in Schaltnetzteilen und in Netzschaltern verwendet.

Kompaktes Design

Minimierung von Leitungsverlusten

Minimiert Treiberverluste

Verbesserte optische Inspektion

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