Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 174 A, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3029
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB044N15N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPB044N15N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.4mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS TM 5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS 5 150 V von Infineon sind besonders für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Scooter sowie Telekommunikations- und Solaranwendungen geeignet.
Ausgezeichnete gate-ladung x RDS(on) -Produkt (BFM)
Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)
Sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Qrr)
175 °C Betriebstemperatur
Bleifreie Leitungsbeschichtung
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